产品中心
覆盖硅电容、硅电阻两大系列，超100款量产型号，支持尺寸、参数、封装深度定制，满足AI算力、光通信等多场景需求。
LA氮化钽电阻
聚焦高精度匹配、低温漂、高稳定性，为高端模拟与传感场景提供可靠器件支持。
CrSi铬硅电阻，全系列支持参数定制
规格参数
硅电阻规格参数
CrSi铬硅电阻，全系列支持参数定制
| 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
|---|---|---|---|---|---|
绝对精度 | 0.1 | - | 1 | % | 室温 |
匹配精度 A级 | - | 0.01 | - | % | 室温 |
匹配精度 B级 | - | 0.025 | - | % | 室温 |
匹配温漂 | - | 0.2 | - | ppm/℃ | -40℃~125℃ |
TCR | - | - | 8 | ppm/℃ | -40℃~150℃ |
工作电压 | -75 | - | +75 | V | - |
电压系数 | - | - | 10 | ppm/V | -5V~+5V |
长期稳定性 | - | - | 2 | ppm | 200℃/1000h |
工作温度 | -40 | - | 125 | ℃ | - |
* 更多规格及定制参数请联系销售代表
产品特点
CrSi铬硅电阻，相比传统电阻在多个维度具有显著优势
超高匹配精度
A级匹配精度±0.01%，B级±0.025%，满足精密电路需求
超低TCR
TCR＜8ppm/℃（-40℃~150℃），匹配温漂仅0.2ppm/℃
高耐压
工作电压±75V，适用于高压采样、电源监测场景
长期稳定性
200℃下1000小时漂移＜2ppm，寿命可靠
典型应用场景
硅电阻在多个关键场景中发挥重要作用
MOSFET驱动电路
应用： RGon导通电阻 + RGoff关断电阻组合
作用： 确保MOSFET快速、可靠开关，防止误导通
✓ 高精度匹配 · 低TCR · 高可靠性
精密分压电路
应用： ADC/DAC基准源、电压采样电路
作用： 提供高精度比例输出，保证测量精度
✓ 匹配精度0.01% · 温漂0.2ppm/℃
传感器信号调理
应用： 电桥平衡、差分放大、偏置电路
作用： 保证信号链路的精度与稳定性
✓ 低噪声 · 高稳定性 · 长期可靠
FAQ
常见问题
为什么选择硅电阻？
CrSi铬硅电阻，相比传统电阻在多个维度具有显著优势
超高匹配精度
A级匹配精度±0.01%，B级±0.025%，满足精密电路需求
超低TCR
TCR＜8ppm/℃（-40℃~150℃），匹配温漂仅0.2ppm/℃
高耐压
工作电压±75V，适用于高压采样、电源监测场景
长期稳定性
200℃下1000小时漂移＜2ppm，寿命可靠
为什么选择硅电容？
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TCC＜70ppm/℃，DC Bias效应较小
长期可靠性
老化效应几乎可以忽略，容值裕量需求较小